1997, 19(3): 416-419.
刊出日期：1997-05-19
关键词:
双极型; 双边沿触发器; 系统设计方法
本文首先提出双边沿D触发器的系统设计方法,代替直观设计。接着用此法设计出I2L型和TTL型双边沿D触发器。
1990, 12(4): 415-417.
刊出日期：1990-07-19
关键词:
LB绝缘薄膜; C-V特性; I-V特性
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。
2010, 32(11): 2547-2553.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2009.01431
刊出日期：2010-11-19
该文针对H.264帧内编码码率控制(RC)效果不佳的问题，提出了一种新颖的图像复杂度自适应I帧RC算法。首先用Sobel算子检测I帧亮度像素的梯度，建立44块的边缘方向直方图，得到每个44块最可能的帧内预测模式和相应重构块，最终获得与实际编码相近的残差图像。用残差的平均绝对值表达I帧编码复杂度，并提出了一种经验型码率-量化(R-Q)模型，同时考虑缓冲区状态和序列特性为I帧分配合适的目标比特，最后为每一个图像组(GOP)得到了合适的I帧量化参数(QP)。实验结果表明，该文算法能更准确地控制I帧输出码率，有效阻止缓冲区溢出和跳帧，得到更加平稳的视频质量，序列PSNR波动减少了60%以上。
2017, 39(4): 847-853.
doi: 10.11999/JEIT160581
刊出日期：2017-04-19
同相支路(I路)与正交支路(Q路)不平衡、载波泄漏以及带内失真会造成系统性能损失，尤其是在采用直接变频结构的发射机中。该文提出一种自适应I/Q不平衡矫正方案，针对发射机中存在的与频率相关的I/Q不平衡、载波泄漏以及带内失真进行矫正。该文方案直接估计I/Q两支路的反滤波器，避免了先求响应再求逆响应的额外运算，降低了运算复杂度。同时，该文还提出一种基于迭代的在线追踪方案，用于跟踪由于发射机温度变化造成的I/Q不平衡的参数漂移现象。经过复杂度分析，该文提出的方案拥有很高的补偿效率。最后，仿真结果验证了两种方案针对各类射频损伤矫正的有效性。
2015, 37(1): 37-42.
doi: 10.11999/JEIT140314
刊出日期：2015-01-19
针对传统GPS接收机在弱信号环境下跟踪误差大，收敛速度慢的缺点，该文提出一种基于I/Q支路相干积分观测滤波的GPS信号跟踪方法。将接收机I/Q支路相干积分输出为观测量，应用无迹卡尔曼滤波(Unscented Kalman Filter, UKF)算法构建卡尔曼滤波器，得到基带数字信号处理滤波模型，闭合接收机跟踪环路。该方法能够有效减小传统GPS跟踪环路中信号参数的估计误差，提高接收机抗干扰能力和弱信号环境下环路跟踪性能。仿真对比结果表明，不同载噪比环境下相比传统GPS信号跟踪的方法，基于I/Q支路相干积分观测的信号跟踪算法能够提高跟踪精度，加快跟踪收敛速度。
1995, 17(4): 365-371.
刊出日期：1995-07-19
本文采用两种区内C/I平衡技术来控制多区蜂窝CDMA系统上行链路中移动台的发射功率,用以补偿阴影和路径损失的影响;采用与传统不同的小区平均中断概率(Outage probability)来评价它们的性能。
1999, 21(3): 311-314.
刊出日期：1999-05-19
本文介绍I/Q通道误差自动校正的实现方法。校正网络由组合逻辑组成,可以校正同相支路和正交支路的幅相误差和直流偏移。校正系数由DSP根据相参测试信号算出。当幅度误差为0.1dB,相位误差为5时,产生的相对镜像电平为-27dB。经过误差自动校正后,相对镜像电平下降到-52dB。
1992, 14(5): 550-554.
刊出日期：1992-09-19
本文用有限元法对 i-GaAlAs/GaAs HIGFETs的稳态特性进行了二维数值模拟和分析。为了在有限内存的微机中,进行快速计算,在程序中,对边界条件,网格剖分和初值选取等方面进行了改进。使计算的收敛速度和精度有了提高。可方便地得到器件内部的电位和载流子浓度等物理量的二维分布。其输出特性和实验数据基本吻合。
2004, 26(1): 131-136.
刊出日期：2004-01-19
该文介绍了综合业务接入系统的基本结构，提出了一种新的基于优先级的参数自适应轮询I/O调度(Priority based parameter self adapting round-robin I/O scheduling)方案，给出了该方案在综合接入系统I/O调度中的实现方法，并对几种调度方案的性能进行了实验比较。
1979, 1(3): 141-143.
刊出日期：1979-07-19
正 氧化铅摄象管靶是一种有结光电导靶。为了保证靶的暗电流、灵敏度、分辨力等性能,这种靶应具有P-I-N结构。在靠近透明电极一面应为很薄的N型区;靶的主要部分应为电阻率较高的本征层(Ⅰ层);而在邻近自由表面处则应该是很薄的P层。为了充分发挥有结光电导靶的性能,有必要直接观察判断P-I-N结。但是由于氧化铅靶实际上是一个微晶组成的疏松层,所以观察单晶半导体结的通常方法在这里已不适用。多年来未见有报道这方面的观察结果,其原因或许就是直接观察不容易。近年来,我们试用扫描电子显
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